日前终于亮出首个3nm工艺制造的12英寸晶圆
【CNMO新闻】台积电版的骁龙8+确实令三星陷入了个不小的困境，不外，作为志在“2030年前，成为全球最先进的半导体制造公司之一”的三星，日前终于亮出首个3nm工艺制造的12英寸晶圆，并打算在本年Q2季怀抱产。
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据三星透露，与7nm制造工艺对比，3nm GAA技能的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗低落了50%，机能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。
对三星来说，3nm节点是他们押注芯片工艺赶超台积电的要害，三星的3nm节点启用GAA技能，这是一种新型的环抱栅极晶体管，通过利用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技能可以显著加强晶体管机能，主要代替FinFET晶体管技能。
另一方面，据此前业界曝光的信息：台积电将于本年下半年小局限试产，来岁才会举办大局限量产3nm工艺。所以，凭借绝对的时间进度，固然厂商们或者会记挂三星良品率不可等负面据说，但3nm工艺GAA技能的绝对机能晋升照旧为三星带来了极大的优势。
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