三星希望能够建立新的研发中心来推进NAND闪存的制造
【CNMO新闻】三星作为全球知名的半导体出产厂商，其半导体研发制造技能一直处于全球领先位置。此前不久，三星3nm工艺还乐成实现量产，在半导体的成长上更进一步。克日，CNMO发明，三星在韩国的一个新的半导体研发中心已经破土动工，打算到2028年在该研发中心投资约20万亿韩元(折合人民币约1027亿元)，以此增强三星在半导体规模的职位。
三星
据悉，该研发中心位于首尔南部器兴，主要针对下一代存储和系统芯片设备和流程举办研究，同时还将基于恒久蹊径图举办全新技能开拓。三星电子副会长李在镕在该研发中心动工典礼上暗示，三星将延续先发制人的投资、重视技能的传统。
三星芯片
相关数据显示，三星在2022年上半年在工场和设施上投资了20.25万亿韩元，对比去年同期淘汰了3.4万亿韩元的投资，个中80%用于半导体行业。三星为了进一步稳固本身在半导体行业的职位，还在美国德克萨斯州成立了一个新的半导体设施。
值得一提的是，三星但愿可以或许成立新的研发中心来推进NAND闪存的制造，并可以或许在2022年底之前开始制造基于236层的NAND闪充芯片，暂且不知该研发中心是否为首尔南部器兴研发中心。
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