三星平泽2号工厂投产 生产EUV工艺第三代10nm D-RAM
【CNMO新闻】三星电子于8月30日暗示，平泽2号半导体工场已经产出首批D-RAM产物。据相识，平泽2号半导体工场将认真出产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产物。
平泽2号工场产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产物是第一次操作EUV工艺量产的存储芯片。三星电子暗示，这款产物拥有世上最大的容量和最快的运转速度，是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产物。
为应对市场对EUV工艺尖端产物的需求，三星电子从本年5月开始在平泽2号工场制作代工出产线，从6月份开始制作NAND闪存半导体出产线、应对市场对尖端V NAND产物的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。
三星电子暗示，“以量产D-RAM产物为起点，平泽2号工场还将建成新一代V NAND、超风雅代工产物出产线，成为高科技综合出产工场，为公司在第四次家产革命时代拉开半导体技能的差距发挥焦点浸染”。
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