【手机中国新闻】台积电在2nm半导体制造节点方面取得重大研究打破,有望在2023年中期进入2nm工艺试出产阶段,并在一年后开始批量出产。今朝,台积电的最新制造工艺是5nm工艺,已用于出产A14仿生芯片。
据先容,台积电的2nm工艺将回收差分晶体管设计。该设计被称为多桥沟道场效应(MBCFET)晶体管,它是对先前FinFET设计的增补。值得留意的是,这也是台积电第一次将MBCFET设计用于其晶体管。台积电一位高管对外暗示,“我们乐观估量2023年下半年风险试产收益率将到达90%,这将有助于我们将来继承赢得苹果、汇达等主要厂商的大订单”。同时,他还提到,量产将于2024年开始。
台积电去年创立了2nm项目研发团队,寻找可行的成长路径。思量到本钱、设备兼容性、技能成熟度和机能等条件,2nm回收了基于环抱门(GAA)工艺的MBCFET。该布局办理了FinFET工艺收缩引起的电流节制泄漏的物理限制。
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